[發明專利]半導體元件的外部鈀鍍敷結構以及半導體器件制造方法無效
| 申請號： | 200580016841.0 | 申請日： | 2005-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN1957113A | 公開（公告）日： | 2007-05-02 |
| 發明（設計）人： | 關和光;吉江崇;吳宗昭 | 申請（專利權）人： | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | C25D7/00 | 分類號： | C25D7/00;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 楊曉光;于靜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 外部 鈀鍍敷 結構 以及 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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