[發(fā)明專利]熒光陶瓷及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580015618.4
• 申請(qǐng)日: 2005-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN101107206A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: L·波利亞斯尼科瓦;V·德米登科;E·戈羅克霍瓦;O·奧夫延尼科瓦;O·克里斯蒂奇;H·維措勒克;C·R·隆達(dá);G·蔡特勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/547
• 分類號(hào): C04B35/547;C09K11/77;C04B35/053;C04B35/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 韋欣華;段曉玲

1.一種采用單軸熱壓制備熒光陶瓷材料的方法，所述方法包括 下列步驟：

a)選擇用M摻雜的Gd₂O₂S顏料粉末，且M代表至少一種選自 Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于熱 壓的粉末的晶粒大小為1μm-20μm，且所述熱壓在以下條件下進(jìn)行

1000-1400℃的溫度；和/或

100MPa-300Mpa的壓力；

b)在700℃-1200℃下空氣退火0.5小時(shí)至30小時(shí)。

2.權(quán)利要求1的方法，其中在步驟a)和步驟b)之間實(shí)施了額 外步驟c)，其中步驟c)包括在1000℃-1400℃溫度下在真空中使熒 光陶瓷退火0.5小時(shí)-30小時(shí)。

3.權(quán)利要求1或2的方法，其中在步驟a)中晶粒大小為1μm- 20μm的未經(jīng)摻雜的Gd₂O₂S粉末與包括含Pr、Ce、Eu、Tb、Yb、Dy、 Sm和/或Ho的稀土離子的至少一種元素的組合物相混合。

4.一種用于將電離輻射轉(zhuǎn)化為光的熒光陶瓷，該熒光陶瓷由用 M摻雜的化學(xué)式Gd₂O₂S所表示，其中M代表至少一種選自Eu、Tb、 Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述熒光陶瓷在其體積 內(nèi)含有單相。

5.權(quán)利要求4的熒光陶瓷，其中至少50％的所述熒光陶瓷的用 M摻雜的微晶的晶粒大小為10μm-100μm。

6.權(quán)利要求4或5的熒光陶瓷，其中所述陶瓷在至少一個(gè)晶面 上具有紋理。

7.權(quán)利要求4-6的熒光陶瓷，其中所述摻雜劑是0.1ppm-100ppm 重量份的Ce；和/或100ppm-1000ppm重量份的Pr。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3的方法制備的熒光陶瓷。

9.設(shè)計(jì)用于檢測(cè)電離輻射的檢測(cè)器，所述檢測(cè)器含有根據(jù)前述 權(quán)利要求4-8中任一項(xiàng)的熒光陶瓷。

10.權(quán)利要求9的檢測(cè)器在適用于醫(yī)學(xué)成像的設(shè)備中的用途。