[發(fā)明專利]自旋勢壘增強(qiáng)的磁致電阻效應(yīng)元件以及使用這種元件的磁性存儲器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580014875.6 | 申請日： | 2005-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN1961377A | 公開（公告）日： | 2007-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 瓦萊特·蒂埃里 | 申請（專利權(quán)）人： | 弘世科技公司 |
| 主分類號： | G11C11/44 | 分類號： | G11C11/44 |
| 代理公司： | 上海恩田旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 丁國芳 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 自旋 增強(qiáng) 致電 效應(yīng) 元件 以及 使用 這種 磁性 存儲器 | ||
【說明書】：
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