[發(fā)明專利]切割·芯片接合兼用粘接片及使用了該粘接片的半導(dǎo)體裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580014869.0
• 申請日: 2005-05-12
• 公開（公告）號: CN101095215A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 福井靖樹;山崎修;佐伯尚哉
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社;琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J7/02;C09J163/00;H01L21/52
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司
• 代理人: 胡燁

1.切割·芯片接合兼用粘接片，其特征在于，由基材和可剝離地層疊于該基材上的粘接劑層構(gòu)成，該粘接劑層具備常溫壓敏粘接性和熱固性，熱固化前的粘接劑層的彈性模量為1.0×10³～1.0×10⁴Pa，熱固化前的粘接劑層的120℃下的熔融粘度為100～200Pa·秒，使熱固化前的粘接劑層保持在120℃的恒定溫度時，其熔融粘度達到最小值的時間在60秒以下。

2.如權(quán)利要求1所述的切割·芯片接合兼用粘接片，其特征在于，該粘接劑層具有能量射線固化性，權(quán)利要求1所述的物性是指能量射線固化后、熱固化前的物性。

3.如權(quán)利要求1或2所述的切割·芯片接合兼用粘接片，其特征在于，用于層疊型半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片間的粘接固定。

4.層疊型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成有構(gòu)成層疊型半導(dǎo)體裝置第2層或其上層的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片的背面貼附權(quán)利要求1所述的切割·芯片接合兼用粘接片，將該半導(dǎo)體晶片與粘接劑層一起進行全切割式切片，分割成單個半導(dǎo)體芯片，將背面具有粘接劑層的半導(dǎo)體芯片從基材取下，另外準備搭載有連接了線材的構(gòu)成第1層的半導(dǎo)體芯片的基板，對該基板加熱，將前述半導(dǎo)體芯片的粘接劑層面埋入該基板的線材形成面，在粘接劑層面和構(gòu)成第1層的半導(dǎo)體芯片表面接觸后，使粘接劑層熱固化。

5.層疊型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成有構(gòu)成層疊型半導(dǎo)體裝置第2層或其上層的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片的背面貼附權(quán)利要求2所述的切割·芯片接合兼用粘接片，將將該半導(dǎo)體晶片與粘接劑層一起進行全切割式切片，分割成單個半導(dǎo)體芯片，在全切割式切片之前或之后對粘接劑層照射能量射線，將背面具有粘接劑層的半導(dǎo)體芯片從基材取下，另外準備搭載有連接了線材的構(gòu)成第1層的半導(dǎo)體芯片的基板，對該基板加熱，將前述半導(dǎo)體芯片的粘接劑層面埋入該基板的線材形成面，在粘接劑層面和構(gòu)成第1層的半導(dǎo)體芯片表面接觸后，使粘接劑層熱固化。

6.如權(quán)利要求4或5所述的層疊型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，采用粘接劑層的厚度比線材高度厚5～50μm的切割·芯片接合兼用粘接片。