[發(fā)明專(zhuān)利]金屬螯合物以及其在高存儲(chǔ)能力的光記錄介質(zhì)中的應(yīng)用無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580014508.6 | 申請(qǐng)日: | 2005-04-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101379559A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | H·沃勒布;A·沃勒布;F·比尼沃爾德;B·施米德賀特;J·-L·布德里 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西巴特殊化學(xué)品控股有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11B7/24 | 分類(lèi)號(hào): | G11B7/24;C07F19/00;C07D277/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉鍇;趙蘇林 |
| 地址: | 瑞士*** | 國(guó)省代碼: | 瑞士;CH |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 螯合物 及其 存儲(chǔ) 能力 記錄 介質(zhì) 中的 應(yīng)用 | ||
1.一種光記錄介質(zhì),其中包括基材、記錄層和任選反射層,其中 所述記錄層包括式Mn+(L1)(L2)(L3)z(I)化合物,其中:
M為第6-12族過(guò)渡金屬或第13族元素,其可任選與一種或多種 其它配體配位和/或可任選與配位層內(nèi)部或外部的一種或多種其它離 子具有靜電相互作用,以平衡過(guò)度充電;
n為數(shù)字1、2或3;當(dāng)n為1時(shí)y為數(shù)字0,或者當(dāng)n為2或3 時(shí)y為數(shù)字0或1;當(dāng)n為1或2時(shí)z為數(shù)字0,或者當(dāng)n為3時(shí)z為 數(shù)字0或1;
L1和L2彼此獨(dú)立地為下式配體:
L1和L2可能通過(guò)R1、R2、R3、R4、R5、R6或Q中的任意一個(gè)互相鍵 合;
L3,獨(dú)立于L1和L2外,為其它配體(IIa)、(IIb)或(IIc);
Q為O、S、NR7、N-OR8或N-NR8R9;
R1、R2、R3和R4彼此獨(dú)立地為R10、NR8R9、NR11R8R9、NO2、SiR8R12R13、 C(R11)=NR8、C(R11)=N-OR8、CON(R11)OR8、CON(R11)OR8R9、S(O)R12、 S(O)2-R12、S(O)-R8、S(O)N(R11)NR8R9、SO2NR8R9、SO2N(R11)NR8R9、SO3R8、 P(O)R12R13、P(O)R12OR8、P(O)OR8OR9或P(O)(NR8R9)2;R2、R3和R4中之 一可能另外為C6-C10芳基、C1-C9雜芳基、C7-C12芳烷基或C2-C12雜芳烷 基,其未取代或被一個(gè)或多個(gè)相同或不同的硝基、R10和/或R7基取代;
R5和R10與R1-R4無(wú)關(guān),其中合適的每個(gè)R10獨(dú)立于其它R10為氫、 鹵素、OR7、SR7、NR7R8、COR11、COOR11、CONR8R9、CN、OCN或SCN,或 為C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C5環(huán)烷基、雜C2-C5環(huán)烷基或 C3-C5環(huán)烯基,其未取代或被鹵素和/或OR11單或多取代;
R6獨(dú)立于R1-R5為氫、OR8、SR8、NR8R9;C1-C5烷基、C2-C5烯基、 C2-C5炔基、C3-C5環(huán)烷基、雜C2-C5環(huán)烷基或C3-C5環(huán)烯基,其未取代或 被COR11、COOR11、CONR8R9、CN、鹵素和/或OR11單或多取代;或?yàn)镃6-C10芳基、C1-C9雜芳基、C7-C12芳烷基或C2-C12雜芳烷基,其未取代或被一 個(gè)或多個(gè)任選相同或不同的硝基、R10和/或R7基取代;
R7為氫、COR11、COOR12、CR8OR9OR11、CONR8R9、SO2R12、P(O)R12R13、 P(O)R12OR13,或P(O)OR12OR13,或C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C5環(huán)烷基、雜C2-C5環(huán)烷基或C3-C5環(huán)烯基,其未取代或被鹵素和/或OR11單或多取代;
或在所有情況下R1和R2、R2和R3和/或R3和R4共同為C2-C10亞烷 基或C2-C10亞烯基,其未取代或被鹵素和/或OR11單或多取代,或形成 優(yōu)選不完全共軛的其它環(huán),或?yàn)?
或者在所有情況下R5和R6和/或R6和R7共同為C2-C10亞烷基或 C2-C10亞烯基,其未取代或被鹵素和/或OR11單或多取代,或者形成優(yōu) 選不完全共軛的其它環(huán);
R8、R9和R11彼此獨(dú)立地并且與R1-R7不同,為氫;C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C5環(huán)烷基、雜C2-C5環(huán)烷基或C3-C5環(huán)烯基,其未 取代或被鹵素和/或OR11單或多取代;或?yàn)镃6-C10芳基、C1-C9雜芳基、 C7-C12芳烷基或C2-C12雜芳烷基,其未取代或被一個(gè)或多個(gè)任選相同或 不同的鹵素、OR12、SR12、NR12R13、CN、OCN、SCN、COR12、CR14OR12OR13、 COOR12、CONR12R13、SO2R12、P(O)R12R13、P(O)R12OR13和/或P(O)OR12OR13取代;
或者R7和R8和/或R8和R9共同為C2-C10亞烷基或C2-C10亞烯基, 其未取代或被鹵素和/或OR11單或多取代,并且每個(gè)可被O或NR11中斷,
R12、R13和R14彼此獨(dú)立地為C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、 C3-C5環(huán)烷基、雜C2-C5環(huán)烷基或C3-C5環(huán)烯基,其未取代或被鹵素和/ 或OR11單或多取代;或者R12和R13共同為C2-C10亞烷基或C2-C10亞烯基, 其未取代或被鹵素和/或OR11單或多取代,并且每個(gè)可被O或NR11中斷。
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G11B 基于記錄載體和換能器之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而實(shí)現(xiàn)的信息存儲(chǔ)
G11B7-00 用光學(xué)方法,例如,用光輻射的熱射束記錄用低功率光束重現(xiàn)的;為此所用的記錄載體
G11B7-002 .按載體形狀區(qū)分的記錄、重現(xiàn)或抹除系統(tǒng)
G11B7-004 .記錄、重現(xiàn)或抹除方法;為此所用的讀、寫(xiě)或抹除電路
G11B7-007 .記錄載體上信息的排列,例如,軌跡的形式
G11B7-08 .傳感頭或光源相對(duì)于記錄載體的配置或安裝
G11B7-12 .換能頭,例如光束點(diǎn)的形成或光束的調(diào)制
- 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)管理裝置及方法
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