[發明專利]具有雪崩保護的高電流MOS器件及操作方法無效
| 申請號： | 200580013473.4 | 申請日： | 2005-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN1947259A | 公開（公告）日： | 2007-04-11 |
| 發明（設計）人： | 維什努·K·肯卡;阿米塔瓦·博斯;維賈伊·帕塔薩拉蒂;祝榮華 | 申請（專利權）人： | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號： | H01L29/74 | 分類號： | H01L29/74;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 黃啟行;穆德駿 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 雪崩 保護 電流 mos 器件 操作方法 | ||
【說明書】：
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