[發(fā)明專利]電荷收集存儲(chǔ)器單元陣列及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580010880.X | 申請(qǐng)日: | 2005-03-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1950940A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·德佩;J·韋勒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奇蒙達(dá)股份公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/115 | 分類號(hào): | H01L27/115;H01L21/8246 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王慶海;張志醒 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電荷 收集 存儲(chǔ)器 單元 陣列 及其 制造 方法 | ||
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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