[發(fā)明專利]在聚合物存儲器器件的金屬氮化物和金屬氧化物電極中產(chǎn)生電子陷阱有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580010052.6 | 申請日： | 2005-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN1938783A | 公開（公告）日： | 2007-03-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·P·雷納維卡;G·H·奧斯卡斯多蒂爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | G11C13/02 | 分類號： | G11C13/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段曉玲 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 聚合物 存儲器 器件 金屬 氮化物 氧化物 電極 產(chǎn)生 電子 陷阱 | ||
【權(quán)利要求書】：
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