[發明專利]氮化鎵單晶的生長方法和氮化鎵單晶有效
| 申請號： | 200580010050.7 | 申請日： | 2005-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN1938457A | 公開（公告）日： | 2007-03-28 |
| 發明（設計）人： | 巖井真;今井克宏;今枝美能留 | 申請（專利權）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B9/10 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吳娟 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 鎵單晶 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
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