[發明專利]用于產生高電壓的方法和電路以及相關的半導體存儲器件有效
| 申請號： | 200510136190.0 | 申請日： | 2005-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN1832034A | 公開（公告）日： | 2006-09-13 |
| 發明（設計）人： | 蔡東赫;林瀛湖 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/407 | 分類號： | G11C11/407;G11C11/417;G11C16/06;G11C5/00;G11C5/14;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 黃小臨;王志森 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 產生 電壓 方法 電路 以及 相關 半導體 存儲 器件 | ||
【權利要求書】：
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