[發(fā)明專利]基于ZnO/MgB2異質(zhì)結的光探測器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200510107827.3 | 申請日： | 2005-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN1941425A | 公開（公告）日： | 2007-04-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙嵩卿;周岳亮;趙昆;劉震;王淑芳;韓鵬;相文峰;陳正豪;呂惠賓;程波林;何萌;楊國楨 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/109 | 分類號： | H01L31/109 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 zno mgb sub 異質(zhì)結 探測器 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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