[發(fā)明專利]形成多晶硅薄膜的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510098656.2 | 申請(qǐng)日： | 2005-09-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1929089A | 公開（公告）日： | 2007-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張啟明;張榮芳;陳宏澤;翁得期 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/20 | 分類號(hào)： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 梁揮;徐金國 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 形成 多晶 薄膜 方法 | ||
【說明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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