[發(fā)明專利]一種提高氮化鎵(GaN)基半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510095658.6 | 申請(qǐng)日： | 2005-11-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1801499A | 公開（公告）日： | 2006-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳貴賓;夏長(zhǎng)生;王少偉;陸衛(wèi);周均銘;陳明法 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 淮陰師范學(xué)院;上海藍(lán)寶光電材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 淮安市科文知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 | 代理人： | 陳靜巧 |
| 地址： | 223001*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 氮化 gan 半導(dǎo)體材料 發(fā)光 效率 方法 | ||
【說明書】：
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