[發(fā)明專利]具有增大電容耦合的跡線的制造方法及相應(yīng)的跡線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510091745.4 | 申請(qǐng)日： | 2005-08-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1738025A | 公開（公告）日： | 2006-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | H·－J·巴思;J·霍爾茲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 因芬尼昂技術(shù)股份公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/82 | 分類號(hào)： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/00;H01L23/52;H05K1/16;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吳立明;梁永 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 增大 電容 耦合 制造 方法 相應(yīng) | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
