[發(fā)明專利]用于電吸收調(diào)制半導(dǎo)體激光器高頻封裝的熱沉無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510090643.0 | 申請(qǐng)日: | 2005-08-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1917311A | 公開(公告)日: | 2007-02-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李寶霞;張靖;楊華;王圩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào): | H01S5/024 | 分類號(hào): | H01S5/024;H01L23/34;H05K7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 100083北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 吸收 調(diào)制 半導(dǎo)體激光器 高頻 封裝 | ||
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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