[發明專利]氮化物半導體發光元件及制造氮化物半導體發光元件的方法有效
| 申請號： | 200510088496.3 | 申請日： | 2005-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN1734802A | 公開（公告）日： | 2006-02-15 |
| 發明（設計）人： | 京野孝史;平山秀樹 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社;獨立行政法人理化學研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;C01G15/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 元件 制造 方法 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于住友電氣工業株式會社;獨立行政法人理化學研究所，未經住友電氣工業株式會社;獨立行政法人理化學研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200510088496.3/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：紫外線阻擋層
- 下一篇：熔絲腔結構和電氣連接箱
