[發明專利]制造磁隧道結中氧化鎂隧道勢壘的反應濺射沉積方法無效
| 申請號： | 200510087864.2 | 申請日： | 2005-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN1746979A | 公開（公告）日： | 2006-03-15 |
| 發明（設計）人： | 丹尼爾·莫里 | 申請（專利權）人： | 日立環球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/39 | 分類號： | G11B5/39;G11C11/15;H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 李曉舒;魏曉剛 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 隧道 氧化鎂 反應 濺射 沉積 方法 | ||
【權利要求書】：
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