[發(fā)明專(zhuān)利]銦砷/鎵砷量子點(diǎn)的分子束外延生長(zhǎng)方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510086372.1 | 申請(qǐng)日： | 2005-09-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1929154A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳巨;王寶強(qiáng);朱戰(zhàn)平;曾一平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00;H01L21/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銦砷 量子 分子 外延 生長(zhǎng) 方法 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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