[發(fā)明專(zhuān)利]閃存存儲(chǔ)單元的浮柵及其制備方法和一種閃存存儲(chǔ)單元有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510082811.1 | 申請(qǐng)日： | 2005-07-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1700474A | 公開(kāi)（公告）日： | 2005-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡一茂;單曉楠;周發(fā)龍;李炎;黃如;王陽(yáng)元 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 北京大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/105 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/105;H01L29/788;H01L21/28;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 閃存 存儲(chǔ) 單元 及其 制備 方法 一種 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
- 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)管理裝置及方法
- 一種存儲(chǔ)方法、服務(wù)器及存儲(chǔ)控制器
- 一種基于存儲(chǔ)系統(tǒng)的控制方法及裝置
- 一種信息的存儲(chǔ)控制方法
- 一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及裝置
- 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)控制方法及裝置
- 存儲(chǔ)設(shè)備、存儲(chǔ)系統(tǒng)及存儲(chǔ)方法
- 物料存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)
- 基于雙芯智能電表的數(shù)據(jù)分類(lèi)存儲(chǔ)方法和裝置
