[發(fā)明專利]具有多重柵極氧化物厚度的半導(dǎo)體器件的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510080422.5 | 申請(qǐng)日： | 2005-07-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1722407A | 公開(kāi)（公告）日： | 2006-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 弗朗索瓦·赫伯特;薩曼·阿赫桑 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 凌特公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/822 | 分類號(hào)： | H01L21/822;H01L21/316;H01L21/283;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 劉繼富;顧晉偉 |
| 地址： | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 多重 柵極 氧化物 厚度 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
