[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	200510070086.6	申請(qǐng)日：	2005-05-09
公開（公告）號(hào)：	CN1862814A	公開（公告）日：	2006-11-15
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	三河巧;十代勇治	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
主分類號(hào)：	H01L27/10	分類號(hào)：	H01L27/10;H01L27/108;H01L21/8242;G11C11/22
代理公司：	中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司	代理人：	汪惠民
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	半導(dǎo)體裝置及其制造方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的

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說明：

1、專利原文基于中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

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