[發明專利]電漿腔室及在此電漿腔室中處理基底的方法無效
| 申請號： | 200510069959.1 | 申請日： | 2005-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN1694228A | 公開（公告）日： | 2005-11-09 |
| 發明（設計）人： | 艾力克斯恩德·派特森;伊莉莎白·G·佩弗;凡廉泰·N·特都羅;漢·藍·納格彥;湯瑪斯·J·闊培尼克;布萊恩·K·海雀;約翰·P·后蘭 | 申請（專利權）人： | 應用材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/00;C23C16/44;C23F4/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電漿腔室 電漿腔室中 處理 基底 方法 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
