[發(fā)明專利]一種具多層保護(hù)層的有機(jī)半導(dǎo)體元件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200510064320.4 | 申請日: | 2005-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN1848474A | 公開(公告)日: | 2006-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝丞忠;胡堂祥;何家充;李正中 | 申請(專利權(quán))人: | 財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多層 保護(hù)層 有機(jī)半導(dǎo)體 元件 及其 制作方法 | ||
【說明書】:
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分,VIP會員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院,未經(jīng)財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200510064320.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光裝置及使用它的顯示裝置
- 包含有機(jī)半導(dǎo)體離散疇的半導(dǎo)體膜及其制造方法
- 有機(jī)半導(dǎo)體元件的制造方法
- 有機(jī)半導(dǎo)體器件和有機(jī)半導(dǎo)體薄膜
- 有機(jī)半導(dǎo)體微粒材料、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜、有機(jī)半導(dǎo)體膜形成用分散液、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的制造方法及有機(jī)薄膜晶體管
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物及其制造方法
- 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的形成方法、以及使用該方法的有機(jī)半導(dǎo)體器件及其制造方法
- 有機(jī)半導(dǎo)體膜的制造裝置
- 光電轉(zhuǎn)換元件、和使用其的光學(xué)區(qū)域傳感器、圖像拾取元件和圖像拾取設(shè)備
- 有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法





