[發明專利]利用氧化鋅緩沖層生長單晶氧化鋅薄膜的方法無效
| 申請號： | 200510062743.2 | 申請日： | 2005-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN1840747A | 公開（公告）日： | 2006-10-04 |
| 發明（設計）人： | 沈文娟;曾一平;王俊 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B29/48;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 氧化鋅 緩沖 生長 薄膜 方法 | ||
【說明書】：
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