[發明專利]高初始磁導率、低損耗NiZn鐵氧體材料及其制備方法有效
| 申請號： | 200510060652.5 | 申請日： | 2005-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN1861546A | 公開（公告）日： | 2006-11-15 |
| 發明（設計）人： | 何時金;包大新;張濤;葛蘊剛 | 申請（專利權）人： | 橫店集團東磁有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/26 | 分類號： | C04B35/26 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務所有限公司 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 322118浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 初始 磁導率 損耗 nizn 鐵氧體 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
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