[發(fā)明專利]一種寄存器傳輸級(jí)可觀測(cè)性覆蓋分析與激勵(lì)生成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510056344.5 | 申請(qǐng)日： | 2005-03-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1688022A | 公開（公告）日： | 2005-10-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魯巍;李曉維 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/82 | 分類號(hào)： | H01L21/82;G06F17/50;G11C19/00;G11C29/00;G06F11/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100080北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 寄存器 傳輸 觀測(cè) 覆蓋 分析 激勵(lì) 生成 方法 | ||
【說明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 觀測(cè)設(shè)備、觀測(cè)程序和觀測(cè)方法
- 觀測(cè)系統(tǒng)、觀測(cè)程序和觀測(cè)方法
- 一種便于分層觀測(cè)的基坑回彈觀測(cè)標(biāo)志及觀測(cè)方法
- 一種確定被觀測(cè)目標(biāo)的經(jīng)緯度的方法及一種觀測(cè)平臺(tái)
- 觀測(cè)裝置、觀測(cè)方法以及觀測(cè)程序
- 多星任務(wù)的合成方法和系統(tǒng)
- 衛(wèi)星觀測(cè)值獲取方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種減少用于觀測(cè)空間目標(biāo)的觀測(cè)衛(wèi)星的數(shù)目的方法
- 在軌伽馬射線暴機(jī)會(huì)目標(biāo)觀測(cè)方法
- 在軌伽馬射線暴機(jī)會(huì)目標(biāo)觀測(cè)方法
