[發(fā)明專利]單層電容器用晶界層陶瓷介質(zhì)瓷料、基片的制造方法及其基片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200510034827.5 | 申請日： | 2005-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN1719560A | 公開（公告）日： | 2006-01-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 莊嚴(yán);朱卓雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州翔宇微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 510300廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單層 電容 器用 晶界層 陶瓷 介質(zhì) 制造 方法 及其 | ||
【說明書】：
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