[發明專利]一種絕緣體上硅的埋層氧化物電荷密度的快速表征方法無效
| 申請號： | 200510029225.0 | 申請日： | 2005-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN1734277A | 公開（公告）日： | 2006-02-15 |
| 發明（設計）人： | 孫佳胤;王曦;陳靜;張恩霞 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R29/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣體 氧化物 電荷 密度 快速 表征 方法 | ||
【權利要求書】：
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