[發明專利]相變存儲單元陣列寫電流的字線電壓補償方法無效
| 申請號： | 200510027622.4 | 申請日： | 2005-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN1838312A | 公開（公告）日： | 2006-09-27 |
| 發明（設計）人： | 林殷茵;洪洋;丁益青;劉欣;湯庭鰲;陳邦明 | 申請（專利權）人： | 復旦大學;硅存儲技術公司 |
| 主分類號： | G11C11/00 | 分類號： | G11C11/00;G11C7/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 存儲 單元 陣列 電流 電壓 補償 方法 | ||
【說明書】：
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