[發(fā)明專利]半導(dǎo)體光伏器件級納米硅薄膜的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200510027059.0 | 申請日： | 2005-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN1697202A | 公開（公告）日： | 2005-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孟凡英;崔容強(qiáng);徐林;于化叢;林書銓;唐敦乙;周之斌;趙占霞;趙百川 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/203;C23C14/34;C23C14/06;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交達(dá)專利事務(wù)所 | 代理人： | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 器件 納米 薄膜 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
