[發明專利]電泳沉積低溫制備二氧化鈦納晶多孔薄膜電極的制備方法無效
| 申請號： | 200510012254.6 | 申請日： | 2005-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN1905215A | 公開（公告）日： | 2007-01-31 |
| 發明（設計）人： | 林原;陳朝艷;周曉文;李學萍;肖緒瑞 | 申請（專利權）人： | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/18;C25D13/02 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100080北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電泳 沉積 低溫 制備 氧化 鈦納晶 多孔 薄膜 電極 方法 | ||
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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