[發明專利]半導體元件的制造方法、以及由此方法形成的半導體元件

有效

• 申請號: 200480039266.1
• 申請日: 2004-11-18
• 公開（公告）號: CN101263600A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 詹姆斯·A·基希格斯納
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L27/102;H01L29/70;H01L31/11
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

1.?一種半導體元件的制造方法，該方法包括：

提供具有表面和第一導電類型的半導體襯底；

在該半導體襯底的該表面之中形成溝槽，以便定義出由該溝槽彼此隔離的多個有源區；

在該溝槽的一部分之下的該半導體襯底中形成掩埋層，其中該掩埋層具有第二導電類型且與該溝槽至少部分地鄰接；

在形成該掩埋層之后，在該溝槽中淀積電絕緣材料；

在該多個有源區的一個有源區中形成具有第二導電類型的集電極區；

在該多個有源區的一個有源區之上形成具有第一導電類型的基極結構；以及

在該多個有源區的一個有源區之上形成具有第二導電類型的發射極區，

其中：

該集電極區形成到達該掩埋層的接觸。

2.?如權利要求1的所述方法，其中：

該集電極區具有第一電阻率；

該掩埋層具有第二電阻率；并且

第一電阻率大于第二電阻率。

3.?如權利要求1的所述方法，還包括：

在該溝槽中形成間隔結構；以及

在形成該掩埋層之后，去除該間隔結構。

4.?如權利要求1的所述方法，其中：

形成該掩埋層包括：

穿過該溝槽注入具有第二導電類型的摻雜劑。

5.?如權利要求4的所述方法，其中：

形成該掩埋層還包括：

在注入摻雜劑之后并在填充該溝槽之前對摻雜劑進行退火。

6.?如權利要求1的所述方法，其中：

該半導體襯底包括第一類型的半導體區和第二類型的半導體區；

該方法還包括在形成該掩埋層之前，在該第二類型的該半導體區之上形成注入掩模；以及

形成該掩埋層還包括：

在該第一類型的半導體區中的該溝槽的至少一部分之下形成該掩埋層。

7.?如權利要求6的所述方法，其中：

該第一類型的該半導體區包括雙極型半導體區；以及

該第二類型的該半導體區包括CMOS區。

8.?如權利要求1的所述方法，其中：

制造該半導體元件包括：

制造該多個有源區之一以便關于穿過該發射極區的中央繪制的垂直線對稱。

9.?一種半導體元件的制造方法，該方法包括：

提供具有表面和第一導電類型的半導體襯底，其中該半導體襯底包括多個第一類型的半導體區和多個第二類型的半導體區；

在該半導體襯底的該表面之中形成溝槽，以便定義出由該溝槽彼此隔離的多個有源區；

形成掩埋層組件包括：

在該溝槽中形成多個間隔結構；

在該多個第二類型的半導體區之上形成注入掩模；以及

形成多個掩埋層，該多個掩埋層的每一個掩埋層位于該多個第一類型的半導體區中的該溝槽的至少一部分之下，其中該多個掩埋層具有第二導電類型，與該溝槽至少部分地鄰接，并且該多個間隔結構之一用于使該多個掩埋層中的一個掩埋層與該溝槽自對準；

在形成該多個掩埋層之后，在該溝槽中淀積電絕緣材料；

在該多個第一類型的半導體區的每一個半導體區中形成具有第二導電類型的集電極區；以及

在該多個第一類型的半導體區的每一個半導體區之上形成具有第二導電類型的發射極區，

其中：

在該多個第一類型的半導體區的每一個半導體區中的該集電極區形成到達在該多個第一類型的半導體區的一個半導體區中的該掩埋層的接觸。

10.?如權利要求9的所述方法，還包括：

在該多個第一類型的半導體區中形成具有第二導電類型的基極區。

11.?如權利要求10的所述方法，其中：

形成該基極區還包括：

在該基極區中形成接觸；以及

在該基極區中的該接觸位于該溝槽的至少一部分之上。

12.?如權利要求9的所述方法，其中：

該集電極區具有第一電阻率；

該多個掩埋層具有第二電阻率；并且

該第一電阻率大于該第二電阻率。