[發(fā)明專利]制作包括能帶工程超晶格的半導體裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200480018053.0 | 申請日： | 2004-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN1813354A | 公開（公告）日： | 2006-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅伯特·J.·梅爾斯;吉恩·A.·C·S·F·伊普彤;邁爾柯·伊薩;斯科特·A.·柯瑞普斯;伊利佳·杜庫夫斯基 | 申請（專利權(quán)）人： | RJ梅爾斯有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/15 | 分類號： | H01L29/15;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制作 包括 能帶 工程 晶格 半導體 裝置 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
