[發(fā)明專利]用于碳化硅的包含主要由鎳組成的層的反射式歐姆接觸及其制造方法以及包含該接觸的發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200480003804.1 | 申請日： | 2004-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN1748325A | 公開（公告）日： | 2006-03-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | D·B·小斯拉特;H·哈格萊特納 | 申請（專利權(quán)）人： | 克里公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 楊凱;梁永 |
| 地址： | 美國北卡*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 碳化硅 包含 主要 組成 反射 歐姆 接觸 及其 制造 方法 以及 發(fā)光 器件 | ||
【說明書】：
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