[實(shí)用新型]氮化鎵系發(fā)光二極管的垂直電極結(jié)構(gòu)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200420118205.1 | 申請(qǐng)日： | 2004-10-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN2733598Y | 公開(kāi)（公告）日： | 2005-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴穆人;洪詳竣 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 炬鑫科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 臺(tái)灣省*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 發(fā)光二極管 垂直 電極 結(jié)構(gòu) | ||
【說(shuō)明書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于炬鑫科技股份有限公司，未經(jīng)炬鑫科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200420118205.1/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
