[發(fā)明專利]氮化物系化合物半導(dǎo)體元件的制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410104567.X | 申請(qǐng)日： | 2004-12-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1638055A | 公開（公告）日： | 2005-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 大野啟;田村聰之;上田哲三 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/302 | 分類號(hào)： | H01L21/302;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 化合物 半導(dǎo)體 元件 制造 方法 | ||
【說明書】：
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- 上一篇：具有催淚成分合成酶活性的蛋白質(zhì)或多肽、編碼該蛋白質(zhì)或多肽的 DNA、利用該 DNA制造具有催淚成分合成酶活性的蛋白質(zhì)或多肽的制造方法以及具有抑制該蛋白質(zhì)或多肽的mRNA翻譯的功能的核酸分子
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
