[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	200410098272.6	申請(qǐng)日：	1999-11-17
公開（公告）號(hào)：	CN1614767A	公開（公告）日：	2005-05-11
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	山崎舜平	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
主分類號(hào)：	H01L21/8238	分類號(hào)：	H01L21/8238;G02F1/136
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司	代理人：	浦柏明;張志醒
地址：	日本神***	國省代碼：	日本;JP
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	制造半導(dǎo)體器件方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造

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1、專利原文基于中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

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