[發(fā)明專利]具有導(dǎo)電穿透通道的硅芯片載體及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410090600.8 | 申請(qǐng)日： | 2004-11-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1684256A | 公開(kāi)（公告）日： | 2005-10-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 丹尼爾·查爾斯·艾德?tīng)査固?/a>;保羅·斯蒂芬·安德雷;利納·帕維基·布奇沃爾特;約翰·阿爾弗雷德·卡塞;謝里夫·A·高馬;雷蒙德·R·霍爾頓;加雷斯·杰奧弗雷·修加姆;邁克爾·懷恩·雷恩;劉小虎;奇拉克·蘇利亞康特·帕特爾;埃德蒙德·尤利斯·斯普羅吉斯;邁克雷·雷格·斯廷;布賴恩·理查德·桑德羅夫;曾康怡;喬治·弗雷德里克·沃克爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/538 | 分類號(hào)： | H01L23/538;H01L23/14;H01L23/48;H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 導(dǎo)電 穿透 通道 芯片 載體 及其 制造 方法 | ||
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- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
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