[發明專利]坩堝升降法補充熔料生長晶體的裝置和方法有效
| 申請號： | 200410089075.8 | 申請日： | 2004-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN1680635A | 公開（公告）日： | 2005-10-12 |
| 發明（設計）人： | 鄭燕青;陸治平;施爾畏;王紹華;崔素賢 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/30 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 20005*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝 升降 補充 生長 晶體 裝置 方法 | ||
【權利要求書】：
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