[發(fā)明專利]非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元的制作方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410086966.8 | 申請(qǐng)日: | 2004-10-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1763932A | 公開(公告)日: | 2006-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋達(dá);吳升 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 力晶半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/8247 | 分類號(hào): | H01L21/8247;H01L21/8239;H01L27/115 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址: | 臺(tái)灣省*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 揮發(fā)性 存儲(chǔ) 單元 制作方法 | ||
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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