[發明專利]金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法有效
| 申請號： | 200410086769.6 | 申請日： | 2004-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN1670964A | 公開（公告）日： | 2005-09-21 |
| 發明（設計）人： | 王志豪;陳尚志;王焱平;邱顯光;姚亮吉;胡正明 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 臺灣省新竹科學*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
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