[發明專利]導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝有效
| 申請號: | 200410086564.8 | 申請日: | 2004-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN1617363A | 公開(公告)日: | 2005-05-18 |
| 發明(設計)人: | 彭暉;彭剛;羅威 | 申請(專利權)人: | 金芃 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100871北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 絕緣 氮化 生長 襯底 及其 低成本 生產技術 工藝 | ||
【權利要求書】:
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