[發明專利]具有硅化物薄膜的半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 200410075114.9 | 申請日： | 2004-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN1604339A | 公開（公告）日： | 2005-04-06 |
| 發明（設計）人： | 崔哲柊 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 李曉舒;魏曉剛 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 硅化物 薄膜 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
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