[發(fā)明專(zhuān)利]PIN結(jié)構(gòu)氮化鎵基紫外探測(cè)器及其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410074363.6 | 申請(qǐng)日: | 2004-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1747184A | 公開(kāi)(公告)日: | 2006-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙德剛;楊輝 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/101 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/101;H01L31/18;G01N21/33;G01J1/00 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 100083北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pin 結(jié)構(gòu) 氮化 紫外 探測(cè)器 及其 制作方法 | ||
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- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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