[發明專利]紫外激光寫入制備高折射率差二氧化硅波導的方法無效
| 申請號: | 200410073862.3 | 申請日: | 2004-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN1746705A | 公開(公告)日: | 2006-03-15 |
| 發明(設計)人: | 夏君磊;吳遠大;安俊明;郜定山;李健;龔春娟;胡雄偉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02;G02B6/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 100083北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紫外 激光 寫入 制備 折射率 二氧化硅 波導 方法 | ||
【說明書】:
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所,未經中國科學院半導體研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200410073862.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





