[發(fā)明專利]灰調(diào)掩模的制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410062538.1 | 申請(qǐng)日： | 2004-06-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1577084A | 公開（公告）日： | 2005-02-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 井村和久 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | HOYA株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G03F1/14 | 分類號(hào)： | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 黨曉林 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 灰調(diào)掩模 制造 方法 | ||
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G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
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