[發(fā)明專利]場(chǎng)效應(yīng)晶體管、包括FET的集成電路及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410057601.2 | 申請(qǐng)日： | 2004-08-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1591899A | 公開（公告）日： | 2005-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳華杰;布魯斯·B·多利斯;菲利普·J·奧爾迪奇;王新琳;朱慧瓏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/772 | 分類號(hào)： | H01L29/772;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管 包括 fet 集成電路 及其 形成 方法 | ||
【說(shuō)明書】：
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 串聯(lián)/分路開關(guān)及操作方法
- 包括具有隔離溝道的增強(qiáng)型和耗盡型FET的雙極性/雙FET結(jié)構(gòu)
- 具有互補(bǔ)鐘控開關(guān)本體NMOS-PMOS偽元件的開關(guān)本體NMOS-PMOS開關(guān)
- 使用大規(guī)模 FET 陣列測(cè)量分析物的方法和裝置
- 電子控制裝置以及搭載了該電子控制裝置的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向裝置
- 電流再利用型場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
- 差動(dòng)放大電路
- 高電壓輸出放大器
- 一種基于GaAs HEMT工藝的施密特觸發(fā)器
- 高效率、寬度電可調(diào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其實(shí)現(xiàn)方法
