[發(fā)明專利]一種相變微、納電子存儲器器件及制作方法有效

申請?zhí)枺?/td>	200410053752.0	申請日：	2004-08-13
公開（公告）號：	CN1599068A	公開（公告）日：	2005-03-23
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	劉波;宋志棠;封松林;陳邦明	申請（專利權(quán)）人：	中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00
代理公司：	上海智信專利代理有限公司	代理人：	潘振甦
地址：	200050***	國省代碼：	上海;31
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種相變電子存儲器器件制作方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的

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說明：

1、專利原文基于中國國家知識產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

2、支持發(fā)明專利、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利（升級中）；

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