[發明專利]一種離子束應用于金屬硅化物工藝缺陷分析的方法無效
| 申請號： | 200410053296.X | 申請日： | 2004-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN1727872A | 公開（公告）日： | 2006-02-01 |
| 發明（設計）人： | 孫宏 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N13/18 | 分類號： | G01N13/18;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 劉清富 |
| 地址： | 201206*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 離子束 應用于 金屬硅 工藝 缺陷 分析 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200410053296.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
