[發(fā)明專(zhuān)利]具有雙嵌附層的減光型相移光罩及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410048106.5 | 申請(qǐng)日： | 2004-06-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1573538A | 公開(kāi)（公告）日： | 2005-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林政旻 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G03F1/00 | 分類(lèi)號(hào)： | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 黃健 |
| 地址： | 臺(tái)灣省新竹*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 雙嵌附層 減光型 相移 及其 制作方法 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類(lèi)似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過(guò)電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線(xiàn)掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過(guò)電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線(xiàn)掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
